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KLA推出全新突破性的電子束缺陷檢測系統
出自:大半導體產業網

2020年7月20日KLA公司宣布推出革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢查系統。該系統具有獨特的檢測能力,能夠檢測出常規光學或其他電子束檢測平臺無法捕獲的缺陷,從而加速了高性能邏輯和存儲芯片的上市時間(包括那些依賴于極端紫外線(EUV)光刻技術的芯片)。eSL10的研發是始于最基本的構架,針對研發生產存在多年的問題而開發出了多項突破性技術,可提供高分辨率,高速檢測功能,這是市場上任何其他電子束系統都難以比擬的。

KLA電子束部門總經理Amir Azordegan表示:“利用單一的高能量電子束,eSL10系統將電子束檢測性能提升到了一個新水平。在此之前,電子束檢測系統不能兼顧靈敏度和產能,嚴重限制了實際的應用。我們優秀的研發工程團隊采用了全新的方法來設計電子束架構以及算法,研制出的新系統可以解決現有設備無法解決的問題。目前,KLA將電子束檢測列入對制造尖端產品至關重要的設備清單?!?br />

圖:針對先進的邏輯、DRAM和3D NAND器件,KLA革命性的eSL10?電子束圖案化晶圓缺陷檢測系統利用獨特的技術發現甄別產品中的關鍵缺陷。

eSL10電子束檢測系統具有多項革命性技術,能夠彌補對關鍵缺陷檢測能力的差距。獨特的電子光學設計提供了在業界相對比較廣泛的操作運行范圍,能夠捕獲各種不同制程層和器件類型中的缺陷。Yellowstone?掃描模式每次可以掃描收集100億像素的信息,支持高速運行的同時不會影響分辨率,以在較大區域內也能高效地研究潛在弱點,實現缺陷發現。Simul-6?傳感器技術可以通過一次掃描同時收集表面、形貌、材料對比度和深溝槽信息,從而減少了在具有挑戰性的器件結構和材料中識別不同缺陷類型所需的時間。憑借其先進的人工智能(AI)系統,eSL10運用了深度學習算法,能滿足IC制造商不斷發展的檢測要求,杜絕了對器件性能影響最關鍵的缺陷。

三維器件結構,例如用于內存應用的3D NAND和DRAM,以及用于邏輯器件的FinFET和GAA(Gate-All-Around)結構,都要求晶圓廠重新考慮傳統的缺陷控制策略。eSL10與KLA的旗艦39xx(“ Gen5”)和29xx(“ Gen4”)寬光譜晶圓缺陷檢測系統的結合,為先進的IC技術提供了強大的缺陷發現和監測解決方案。這些系統共同合作,提高了產品的良率和可靠性,將更快地發現關鍵缺陷,并能夠更快地解決從研發到生產的缺陷問題。

新推出的eSL10系統平臺具有獨特的擴展性,可以延申到整個電子束檢測和量測應用中。全球范圍內先進的邏輯器件、存儲器和制程設備制造商都在使用eSL10系統,利用該系統幫助研發生產過程,提升和監測下一代產品制程和器件的制造。為了保持其高性能和生產力表現,eSL10系統擁有KLA全球綜合服務網絡的支持。更多關于全新電子束缺陷檢測系統的其他信息,請參見eSL10產品頁面。
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文章收入時間: 2020-07-21
 
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