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IC設計與制造
華虹半導體最新推出90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺 助力大容量MCU解決方案
出自:大半導體產業網

華虹半導體有限公司今日宣布,最新推出90納米超低漏電(Ultra-Low-Leakage,ULL)嵌入式閃存(eFlash)和電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)工藝平臺,滿足大容量微控制器(MCU)的需求。該工藝平臺作為華虹半導體0.11微米超低漏電技術的延續,以更低的功耗和成本為客戶提供具有競爭力的差異化解決方案,適用于物聯網、可穿戴式設備、工業及汽車電子等方面的應用。??

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新近推出的90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺1.5V 核心N型和P型MOS晶體管漏電達到0.2pA/μm,可有效延長MCU設備的待機時間。該平臺的嵌入式非易失性存儲器(eNVM,Embedded Non-Volatile Memory)IP具有10萬至50萬次擦寫次數、讀取速度達30ns等獨特優勢。同時邏輯單元庫集成度高,達到400K gate/mm2以上,能夠幫助客戶多方面縮小芯片面積。
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該工藝平臺的最大優勢是集成了公司自有專利的分離柵NORD 嵌入式閃存技術,在90納米工藝下擁有目前業界最小元胞尺寸和面積最小的嵌入式NOR flash IP,而且具有光罩層數少的優勢,幫助客戶進一步降低MCU、尤其是大容量MCU產品的制造成本。該平臺同時支持射頻(RF)、eFlash和EEPROM。
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華虹半導體執行副總裁孔蔚然博士表示:“公司致力于差異化技術的創新和不斷優化,為客戶提供市場急需的、成本效益高的工藝和技術服務。在精進8英寸平臺的同時,加快12英寸產線的產能擴充和技術研發。物聯網、汽車電子是MCU應用的增量市場,此次90納米超低漏電嵌入式閃存工藝平臺的推出,進一步擴大了華虹半導體MCU客戶群在超低功耗的市場應用領域的代工選擇空間?!?/div>
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文章收入時間: 2020-08-27
 
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